图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MBT35200MT1 |
| 文档 |
Copper Wire 08/Jun/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 310mV @ 20mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6TSOP |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 35 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V |
| 最大工作频率 | 100(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.15@0.008A@0.8A|0.2@0.012A@1.2A|0.31@0.02A@2A V |
| 最大集电极基极电压 | 55 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| 包装宽度 | 1.5 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 55 |
| 最大集电极发射极电压 | 35 |
| 供应商封装形式 | TSOP |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 3 |
| 包装高度 | 0.94 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 310mV @ 20mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MBT35200MT1GOSCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.26 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 1 A at 1.5 V |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 35 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 55 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 2 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 55 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 35 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 100 MHz |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TSOP |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 100 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 2 A |
| 直流电流增益 | 100 |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 310mV @ 20mA, 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 35V |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 零件号别名 | MBT35200MT2G |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 3 mm |
| 系列 | MBT35200 |
| 身高 | 0.94 mm |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| associated | PBSS5350D |
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